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タワーセミコンダクターの高電圧/パワー技術最新動向 - Japan Session

Start Date:11/25/2020

Start Time:1:30 PM JST

Duration:60 minutes

Abstract:

日々成長と進化を続けるコンピューティング、産業および コンシューマ用の先端パワーIC市場に向けて、当社は業界を リードする低オン抵抗BCDを搭載した0.18um第6世代プラットフォームをリリースしました。大きな電圧ストレスが発生するスイッチング動作回路においてもより安定した大電流動作が可能になります。

300mmウエハ対応の65nmBCDにおいては、24Vまでの動作電圧帯に向けて低オン抵抗BCDと超高密度ロジックとの両立を最少マスク回数で実現します。

125V動作までの高電圧帯については、すでにフローティング動作が可能なバルクシリコン型RESURFプロセスをリリース済みですが、今回のセッションではさらにDTIオプション、および200V SOIプラットフォームに匹敵する160V動作帯までの対応拡大をアナウンスします。

GaNやSiCデバイスをドライブする用途に向けて来年リリース する予定のGalvanic容量デバイスについても紹介します。 今回のセッションでは、代表的なデバイスパラメータを用いて技術全貌を紹介するとともに、必要に応じてデバイス選択、素子分離スキーム、ESDにも言及する予定です。当社のパートナーとして、技術、生産/開発管理、マーケティング等を担当される方々のご参加をお待ちしています。

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Speakers

Akira Takeishi

Deputy Director

Tower Partners Semiconductor

1981年、松下電器産業株式会社に入社後、一貫してシリコン半導体開発に従事。テレビ映像回路用ロジック及びパワーデバイス開発を担当後、CMOSフロントエンドプロセス要素技術開発マネージャーを経て、2003年よりアナログ&RFデバイス開発部長を務める。2014年TPSCo発足後は第一デバイス開発部長として、ミックスドシグナル&パワーマネジメント技術開発を総括担当し、現在に至る。
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